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“动力星”DRT 系列IGBT 驱动变压器

驱动变压器

2019-09-30   

中国电源产业网

导语:北京创四方电子股份有限公司(股票名称:创四方股票代码:838834)是一家专业致力于各类精密电磁器件、精密电量传感器以及新能源电抗器和特种变压器和AC/DC,DC/DC模块电源的高新技术企业,公司总部位于北京市朝阳区中关村电子城IT产业园,集开发、生产和销售及配套为一体,拥有"BingZi兵字"和"TransFar创四方"两大自有品牌,产品覆盖全国并远销海外。公司自从1992年诞生中国第一款全封闭式变压器以来,产品品种和业务规模得到快速的发展,今天"BingZi兵字"已成为业界知名品牌。拥有占地面积80余亩,建筑面积20000m2的福建生产基地。公司系中国电源学会理事单位,北京电源行业协会常务理事单位,中国电子质量管理协会单位会员,北京福建企业总商会常务副会长单位,ISO9001质量体系认证单位,中国电子行业用户满意企业、用户满意产品单位。

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DRT 系列IGBT 驱动变压器系我公司为驱动IGBT 和MOSFET 而专门研制的最新产

品,以新型材料作为磁芯,可满足多项应用要求。

一.产品特点:

① 耦合电容低,使之具有很高的抗干扰能力;

② 漏感小,保证了更好的输出脉冲波形;

③ 无开关延时、瞬时传输功率高;

④ 抗电强度高,安全可靠;

⑤ 全封闭,机械和耐环境性能好;

⑥ 体积小巧,结构紧凑,外形美观,针脚穿孔式安装,使用方便。

二.使用条件:

① 环境温度:-40℃~+85℃;

② 相对湿度:温度为40℃时不大于90%;

③ 大气压力:860~1060mbar(约为650~800mmHg)。

三.绝缘耐热等级:B 级(130℃)

四.安全特性:

① 绝缘电阻:常态时大于1000MΩ;

② 阻燃性:符合UL94-V0 级。

五.DRT 系列驱动变压器各型号典型特性对比表:

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说明:

① 上表中所给出的参数是在室温下测得的典型值。

② 各参数的意义:

u—变比=Ⅰ:Ⅱ:Ⅲ

VP—各绕组之间施加的抗电强度试验电压之有效值,持续时间60s

∫udt—额定伏微秒积≈V1·tn(在一定频率范围内其值基本不变)

LP—线圈初级电感量f=1000Hz V=0.3V

LS—漏感(将次级绕组短路后测量) f=1000Hz V=1V

CK—分布电容f=1000Hz V=1V

六.选型指南:

① 首先根据系统的工作电压V。(有效值)来确定所需的抗电强度Vp,可按表1 推

荐选择:

表1:

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② 根据控制级电源电压和IGBT 需要的驱动电压选择变比。

例如:若初级脉冲幅值为15V,为了使IGBT 可靠驱动,则需要选择变比为1:1 的

驱动变压器,如DRT801/101A、DRT801/111B 或DRT802/101A 等。若初级脉冲幅值为

24-30V,为了使IGBT 可靠驱动,则需要选择变比为2:1 的驱动变压器,如DRT801/201A、

DRT801/211B 或DRT802/201A 等。

③ 根据伏微秒积(∫udt)及驱动脉冲的频率(fp),按已知驱动脉冲的伏微秒积应小于等

于该频率范围内DRT 驱动变压器的额定伏微秒积的原则选型。

例如:若调制脉冲的频率为20kHz,脉冲幅度为15V,脉宽为20μs,则其伏微秒积

∫udt=15×20=300 μVs,按已知驱动脉冲的伏微秒积应小于等于该频率范围内DRT 驱动变

压器的额定伏微秒积的原则选型,可选DRT802 系列产品。若调制脉冲的频率为50kHz,

脉冲幅度为24V,脉宽为10μs,则其伏微秒积∫udt=24×10=240μVs,按已知驱动脉冲的

伏微秒积应小于等于该频率范围内DRT 驱动变压器的额定伏微秒积的原则选型,可选

DRT801 系列产品。

七.使用指南:

① 典型应用电路:

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② 说明:

ⅰ.R1、D1 主要起续流作用。D1 一般可选1N4007,R1 可选1kΩ~2 kΩ;

ⅱ.D2、D3,R2、R3 主要起整形和防止IGBT 栅极开路并提供放电回路。D2、D3

可选用加速二极管,用以提高IGBT 的开关速度,R2、R3 可选几十欧姆~几百欧姆。

ⅲ.D4、D5 主要起限制加在IGBT(g-e)端的电压作用,避免过高的栅射电压击穿栅

极。

ⅳ.驱动变压器的使用频率可以在几kHz ~几十kHz 之间。

八.DRT 系列IGBT 驱动变压器的各参数意义及外形图、安装尺寸、线圈图和主要

技术参数(典型值)

① 各参数的意义:

u—变比=Ⅰ:Ⅱ:Ⅲ。

VP—各绕组之间施加的抗电强度试验电压之有效值,持续时间60s。

∫udt—额定伏微秒积≈V1·tn(在一定频率范围内其值基本不变)。

V1—输入脉冲幅度(初级脉冲电压)。

tn—在相应的V1 和fP 下驱动变压器的额定传输脉宽。

V2—输出脉冲幅度(次级脉冲幅度)。

RL—IGBT 模块或MOSFET 控制级等效电阻。

LP—线圈初级电感量f=1000Hz V=0.3V

LS—漏感(将次级绕组短路后测量) f=1000Hz V=1V

CK—分布电容f=1000Hz V=1V

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 北京创四方电子股份有限公司(股票名称:创四方股票代码:838834)是一家专业致力于各类精密电磁器件、精密电量传感器以及新能源电抗器和特种变压器和AC/DC,DC/DC模块电源的高新技术企业,公司总部位于北京市朝阳区中关村电子城IT产业园,集开发、生产和销售及配套为一体,拥有"BingZi兵字"和"TransFar创四方"两大自有品牌,产品覆盖全国并远销海外。公司自从1992年诞生中国第一款全封闭式变压器以来,产品品种和业务规模得到快速的发展,今天"BingZi兵字"已成为业界知名品牌。拥有占地面积80余亩,建筑面积20000m2的福建生产基地。公司系中国电源学会理事单位,北京电源行业协会常务理事单位,中国电子质量管理协会单位会员,北京福建企业总商会常务副会长单位,ISO9001质量体系认证单位,中国电子行业用户满意企业、用户满意产品单位。

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