日前，设计与制造高性能射频系统与解决方案的RF Micro Devices(RFMD)在其分析日宣布，公司已通过了第一代48V氮化镓(GaN)工艺技术的技术认证。

    RFMD是复合半导体制造商，公司充分利用了现有制造资产以及在高量产复合半导体设计与制造方面业经验证的专业技能，以提供其最新GaN工艺技术所具有的良好热性能及RF性能。RFMD已开始向多个终端市场中的客户预批量发运其48V GaN技术。

    RFMD的48V GaN工艺技术非常适于满足客户日益增长的对更高功率、更高效率及更大带宽的需求。公司正在瞄准多个高增长应用，包括高线性有线电视线路放大器、军用雷达应用、高带宽无线基础设施功率放大器，以及面向创新高亮度光发生应用的功率模块。

    RFMD多市场产品部总裁Bob Van Buskirk指出：“我们正在生产以及正在开发的多个产品将从我们最新GaN技术的引用中获益。这种新的工艺技术为我们新成立的多市场产品组提供了直接的竞争优势，我们GaN技术在多个终端市场中的不断部署将支持我们有关收入与利润随我们多市场产品组的持续发展而增长的预期。”

    Van Buskirk继续说道，“与当前可用的技术相比，RFMD的新GaN工艺技术可提供更高效率、更大的运行带宽以及更高的强健性。这些性能特性正在支持多个高增长应用中的有利设计活动。”