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英飞凌CIPOS™ Mini IPM助力低功率电机驱动系统提高效率/650V IGBT采用表面贴装D2PAK封装实现最大功率密度

2018-06-05   

中国电源产业网

导语:2018年6月1日,德国慕尼黑讯——全球性能效标准通常禁止制造商进口或销售不符合这些标准的产品。为遵守最低限度的特定要求,必须通过利用最新技术来降低能耗。英飞凌科技股份公司(FSE: IFX /OTCQX: IFNNY)现推出CIPOS™ Mini产品家族的IM512和IM513系列。它们是率先集成CoolMOS™ MOSFET的高效IPM(智能功率模块),具备出色电子性能。该全新IM51x IPM有助于优化诸如家用电器的压缩机、泵或风扇等应用的电源效率。

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2018年6月1日,德国慕尼黑讯——全球性能效标准通常禁止制造商进口或销售不符合这些标准的产品。为遵守最低限度的特定要求,必须通过利用最新技术来降低能耗。英飞凌科技股份公司(FSE: IFX /OTCQX: IFNNY)现推出CIPOS™ Mini产品家族的IM512和IM513系列。它们是率先集成CoolMOS™ MOSFET的高效IPM(智能功率模块),具备出色电子性能。该全新IM51x IPM有助于优化诸如家用电器的压缩机、泵或风扇等应用的电源效率。

较之传统的IGBT IPM,基于CoolMOS的CIPOS Mini IPM现在能显著降低导通和开关损耗。该IM51x系列旨在驱动高达600 W的电机。它们特别适用于经常在轻载条件下工作的系统。由于总功耗降低带来材料成本降低,所以客户能节省系统成本,同时保持总效率。IM51x在25°C时具备310 mΩ的低导通电阻和10 A的额定电流,击穿电压为600 V。
它们可以采用全桥(IM512)或三相(IM513)逆变器配置。用于温度监测的UL认证内置NTC热敏电阻、欠压锁定(UVLO)及过流保护(OCP)特性可进一步增强系统可靠性。IM51x系列还集成自举二极管来简化PCB布局。CIPOS Mini CoolMOS系列的最高工作结温达150°C,绝缘等级为2000 Vrms一分钟。
 
650V IGBT采用表面贴装D2PAK封装实现最大功率密度 
 
2018年6月1日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)进一步壮大其薄晶圆技术TRENCHSTOP™5 IGBT产品阵容。新的产品家族可提供最高40 A 650V IGBT,它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3(亦称D2PAK)封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率密度日益增长的需求,适于使用自动化表面贴装生产线。要求最大功率密度和能效的典型应用包括太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电池充电和蓄电等。
英飞凌的超薄TRENCHSTOP 5技术可以缩小芯片尺寸、提高功率密度。得益于此,英飞凌率先将40 A 650V IGBT和40 A二极管组合到D2PAK封装中。较之竞争对手的D2PAK封装产品,这个新的产品家族的额定参数高于市场上的所有其他产品,其他组合封装解决方案的功率仅为其75%。
新器件的高功率密度允许设计人员升级现有设计,开发输出功率提高最多25%的新平台,或者减少并联功率器件数量,从而实现更紧凑的设计。独一无二的组合封装40 A D2PAK可以替代D3PAK或TO-247,用于表面贴装。这可支持轻松焊接,实现快速且可靠的贴装生产线。
 

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