采用 ThinSOT 或 3mm x 2mm DFN 封装的低 IQ、60V 单片式升压 / SEPIC / 负输出转换器
2017-05-18
中国电源产业网
导语:
采用 ThinSOT 封装的单片式升压 / 负输出 / SEPIC 转换器概述
|
器件
|
VIN
|
IQ
|
fSW
|
电源开关
|
封装
|
|
LT8330
|
3V~40V
|
6μA
|
2.0MHz
|
1A/60V DMOS
|
ThinSOT–6,
3mm x 2mm DFN |
|
LT1615 / LT1617
|
1.1V~15V
|
20μA
|
恒定
关断时间
|
0.3A/36V NPN
|
ThinSOT–5
|
|
LT1613 / LT1611
|
1.1V~10V
|
3mA
|
1.4MHz
|
0.55A/36V NPN
|
ThinSOT–5
|
|
LT1930 / LT1931
LT1930A / LT1931A |
2.6V~16V
|
5.5mA
|
1.2MHz
2.2MHz |
1A/36V NPN
|
ThinSOT–5
|
|
LT3467
LT3467A |
2.6V~16V
|
1.2mA
|
1.3MHz
2.1MHz |
1.1A/40V NPN
|
ThinSOT–6,
3mm x 2mm DFN |
|
LT1935
|
2.6V~16V
|
3mA
|
1.2MHz
|
2A/40V NPN
|
ThinSOT–5
|








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