东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护-中国电源产业网-新能源与电源官方网站

东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护

2023-11-08

中国电源产业网

导语：东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。

截至目前，东芝的N沟道共漏极MOSFET产品线重点聚焦于12V产品，主要用于智能手机锂离子电池组的保护。30V产品的发布为电压高于12V的应用提供了更广泛的选择，如USB充电设备电源线路的负载开关以及笔记本电脑与平板电脑的锂离子电池组保护。

实现具有低漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）的双向开关需要两个具有低RDS(ON)的MOSFET，尺寸为3.3mmÍ3.3mm或2mmÍ2mm。东芝的新产品采用小巧纤薄的新型封装TCSPAG-341501（3.37mmÍ1.47mm（典型值），厚度＝0.11mm（典型值）），同时在单封装共漏极结构中搭载电阻值为9.9mΩ（典型值）的源极-源极导通电阻（RSS(ON)）。

USB PD（USB Power Delivery）专门针对需要高功率供电的设备而开发，可以提供从15W（5V/3A）直至最大240W（48V/5A）的功率。USB PD具有角色交换功

能支持电源侧和接收侧的互换，要求USB充电设备能够双向供电，以便能够同时支持电力传输和电力接收。此次新产品就是一款支持双向供电，表贴面积较小的N沟道共漏极MOSFET。

将该产品与东芝TCK42xG系列中的驱动IC相结合可构成具有防回流功能的负载开关电路或可以在先合后断（MBB）和先断后合（BBM）之间切换操作的电源多路复用器电路。基于这种产品组合，东芝于今日发布了适用于电源多路复用器电路的参考设计（使用共漏极MOSFET）。使用该参考设计有助于缩短产品设计与开发时间。

未来东芝将继续扩大其产品线并改进相关特性，以提高设计灵活性。

适用于电源多路复用器电路的参考设计（使用共漏极MOSFET）

Ø 应用：

- 智能手机

- 笔记本电脑

- 平板电脑等

Ø 特性：

- 高源极-源极额定电压：VSSS＝30V

- 低导通电阻：RSS(ON)＝9.9mΩ（典型值）（VGS＝10V）

- 双向导通的共漏极连接结构

- 小巧纤薄的TCSPAG-341501封装：3.37mmÍ1.47mm（典型值），厚度＝0.11mm（典型值）

注：

[1] 器件安装在一块FR4环氧树脂玻璃板（25mmÍ27.5mm、厚度＝1.6mm，铜焊盘：18µm、407mm2）上

[2] 器件安装在一块FR4环氧树脂玻璃板（25mmÍ27.5mm、厚度＝1.6mm，铜焊盘：70µm、687.5mm2）上

编辑：中国电源产业网

来源：《电源工业》编辑部

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