今天，ARM公司[(LSE: ARM); (Nasdaq: ARMHY)]宣布与IBM、特许半导体（Chartered）和三星电子有限公司合作，为其通用平台之65纳米通用工艺提供ARM Advantage产品——Artisan系列物理IP产品的一部分。这一协议加强了这三家公司一贯为客户提供多资源战略以及更高的设计便利性的承诺。在同IBM和Chartered共同为90纳米工艺提供物理IP的基础上，这一协议扩展了ARM为通用平台提供的设计实现支持。针对65纳米低功耗工艺向IBM、特许半导体和三星提供的低功耗的ARM Metro™产品——作为Artisan系列物理IP的一部分——已于去年发布。
      IBM系统和技术集团半导体技术平台副总裁Steve Longoria 表示：“很多客户不仅需要业界领先的生产能力，同时也需要低风险、灵活的方式来管理他们的资源战略，通用平台模式已经被证明对于他们是非常有吸引力的。通过这次引入的ARM物理IP的支持，三家公司更方便地掌握通用65纳米工艺，同时也为我们共同的顾客提供了更为广泛的选择。”
ARM Advantage IP 凭借其高速度、低功耗的性能来满足消费电子产品、通信和网络市场广泛的应用要求。Advantage 和AdvantageHS标准单元包括为多晶体管阀值电压定制的电源管理组件。五个Advantage存储编译器具有先进的节能特性。输入/输出产品包括可以支持1.8、2.5和3.3多种电压系统的多重设置。该产品套组在多种电压下对时钟和电源作了设置，使设计者可以在多电压设计中实现准确的预流片。
      Advantage IP包含了ARM广泛的工艺库（views）和模型集，提供了与众多业界领先的电子设计自动化（EDA）工具的整合。此外，这一IP还整合了ARM、IBM、Chartered和三星在解决先进的65纳米技术生产的复杂设计中的专业技术。65纳米工艺的客户将可以从2006年第二季度起在ARM网站免费下载完整的ARM物理IP产品套件。
Chartered公司全球市场和平台联盟副总裁Kevin Meyer表示：“通用平台不但满足了设计者快速转向65纳米工艺的需要，同时满足了他们对一个优化的制造工艺的灵活性和低风险的需求，而这一制造工艺又同时得到多家代工厂的支持。把ARM Advantage产品扩展到支持我们同其他几家公司联合的65纳米工艺的IP组合中，使得通用平台成为那些开始设计下一代尖端产品的先行者的一个最佳选择。”
      三星电子系统LSI部ASIC/代工厂事业发展副总裁Ben Suh博士表示：“今天片上系统（SoC）或是基于IP的ASIC设计都需要采用已经投片验证并且易于整合的高质量IP。三星非常高兴可以提供通用平台65纳米支持的已经验证的ARM Advantage物理IP, 这将给客户提供从芯片设计到制造的解决方案，从而实现他们的商业目标。”
ARM物理IP市场副总裁Neal Carney先生表示：“针对65纳米通用工艺的ARM Advantage产品大大扩展了客户对65纳米设计的选择。业界的SoC设计师将可以选用一整套完整的低功耗高性能的IP和工艺技术,从而对最终产品作出差异化设计。”